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Wafers de silicio de alta pureza – varios diámetros y formatos
Wafers de silicio de alta pureza disponibles en varios diámetros, ideales para investigación en películas delgadas, semiconductores y aplicaciones avanzadas. Disponibles en versiones estándar y ultra-planas, con o sin recubrimientos.
| Miniatura | SKU | Diámetro | Orientación | Recubrimiento | Contenido | Dopante | Existencias | Precio | Cantidad | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 16013 | 3 inch | 111 | No | Oblea + porta oblea | Boro | Bajo pedido | |||
 | 21630-55 | 6 inch | 100 | 200nm SiNx | 25 dados 5x5 mm en caja Gel-Pak box | Boro | Bajo pedido | |||
 | 21630-6 | 6 inch | 100 | 200nm SiNx | Oblea + porta oblea | Boro | Bajo pedido | |||
 | 21610-55 | 6 inch | 100 | 200nm SiO2 | 25 dados 5x5 mm en caja Gel-Pak box | Boro | Bajo pedido | |||
 | 21620-6 | 6 inch | 100 | 200nm SiO2 | Oblea + porta oblea | Boro | Bajo pedido | |||
| 21610-6 | 6 inch | 100 | 200nm SiO2 | Oblea + porta oblea | Boro | Bajo pedido | |||
| 21610-4 | 4 inch | 100 | 200nm SiO2 | Oblea + porta oblea | Boro | 8 disponibles |
Descripción
Estos wafers u obleas de silicio están diseñados para satisfacer las exigencias de laboratorios de investigación, universidades y fabricantes de semiconductores. Disponibles en diámetros de 1″, 2″, 3″, 4″ y 6″ (25,4 a 150 mm), pueden utilizarse como sustratos para deposición de películas delgadas o dividirse en piezas más pequeñas mediante técnicas de corte y fractura.
Los wafers estándar están disponibles en tipo P (dopado con Boro) y tipo N (dopado con Fósforo), con orientación cristalina <100> o <111>. No presentan recubrimiento de óxido y tienen una cara pulida y otra grabada. Se entregan en portadores tipo “coin-style” para su protección.
También disponemos de wafers ultra-planos de 4″ y 6″, ideales para estudios de substratos exigentes, AFM, SEM y aplicaciones de microfabricación. Están disponibles con recubrimientos de óxido térmico (SiO₂) o nitruro de silicio (SiNx), y en formatos enteros o troquelados (5×5 mm, 5×7 mm, 10×10 mm) mediante dicing limpio en condiciones de sala blanca clase 10.
Especificaciones técnicas
Wafers estándar (1″ a 6″)
- Diámetros: 1″, 2″, 3″, 4″, 6″ (25,4 a 150 mm)
- Orientación: <100> (todos) y <111> (solo 3″ tipo P)
- Tipo P: dopado con Boro (1 flat primario)
- Tipo N: dopado con Fósforo (1 flat primario)
- Resistividad: 1–50 Ohm-cm
- Sin recubrimiento de SiO₂
- Rugosidad: 2 nm
- TTV: ≤5 µm
- Bow/Warp: ≤30 µm
- Superficie frontal: pulida / posterior: grabada
- Espesor:
- Ø1″: 275–325 µm
- Ø2″: 255–305 µm
- Ø3″: 330–420 µm
- Ø4″: 505–545 µm
- Ø6″: 585–695 µm
Wafers ultra-planos 4″ y 6″
- Material: Silicio CZ virgen, grado Prime
- Orientación: <100>
- Tipo/Dopante: P/Boro
- Resistividad: 10–20 Ohm-cm
- Espesor:
- 4″: 525 ± 20 µm
- 6″: 675 ± 20 µm
- TTV: ≤2–4 µm
- Warp: ≤30 µm | Bow: ≤20 µm
- Flat: 1 o 2 según estándar SEMI
- Partículas: ≤20–30 ≥0.2–0.3 µm
- Superficie frontal: pulida / posterior: grabada
- Site Flatness: ≤1–2 µm
- Rugosidad: 2–3 Å
Recubrimientos disponibles
- Óxido térmico (SiO₂): 200 nm ± 5%
- Nitruro de silicio (SiNx): 200 nm ± 100 Å, ultra bajo estrés
- Formatos troquelados: dados 5×5 mm, 5×7 mm, 10×10 mm (en cajas Gel-Pak®)
- Dicing limpio sin residuos, en sala blanca clase 10.
